www.5615.net > D452场效应管参数

D452场效应管参数

j37是它的型号.你问的它的参数,其实已经给你标出来了.列如场效应管上面写着j37 FGA25N120 ANTD.它的参数就是25A 1200V的场效应管.25N120 即表示这个场效应管的两个主要参数,N表示这个场效应管是N沟道的.它是一种IGBT场效应管(绝缘栅型N沟道场效应管).这种场效应管通常用在高压大电流的场合.这个管子常用在电磁炉中,用作功率管来使用的.

D452和D472 两个管子的参数基本一样,都是25V,55A ,只是导通时内阻不同而已,一个是5.5 ohm 一个是8 ohm,功耗不一样.场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FETJFET)和金

8N60顾名思义是8A600V的N沟道MOS场效应管.可用8N80,10N60,11N60等代换.

80N60C 只要耐压到600V ID80A的场效应管子都可以. 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.尽管由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早.

5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流4.5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V,功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率, Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管.

①、关于以上这【YMP230N55】场效应管的参数是:∥耐压:55V∥电流:230A∥,T0-220封装,此管属于低电压大电流专用场效应管.仅供参考.

这个参数是5A 500V

8N60T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用平面VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量. 该管可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动. 8A,600V,RDS(on)=0.96Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力

G80N60 为600V 80A 320W http://www.tv160.net/tvnews/tvrjizz/ranjiansm/200612/58765.htm 有图

15A 500V 100W

网站地图

All rights reserved Powered by www.5615.net

copyright ©right 2010-2021。
www.5615.net内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com